Các mô-đun kết thúc trước BTS7202 RX và trình điều khiển trước BTS6403/6305 mới cung cấp công suất đầu ra cao hơn, cải thiện độ tuyến tính và giảm tiếng ồn để giúp cải thiện chất lượng cuộc gọi 5G và tốc độ internet.
NXP®Semiconductors Semiconductors đã công bố công suất mới cao hơnBTS7202Mô-đun giao diện người dùng RX (FEM) vàBTS6403/6305trình điều khiển trước cho đa đầu vào đa đầu ra (MIMO) dung lượng lớn 5G lên đến 20 W mỗi kênh.Được phát triển và triển khai trong quy trình silicon germanium (SiGe) của NXP, các thiết bị này hoạt động với mức tiêu thụ dòng điện khiêm tốn để giảm chi phí vận hành cho các nhà khai thác mạng di động (MNO).Chúng cũng cung cấp độ tuyến tính được cải thiện và giảm nhiễu để hỗ trợ chất lượng tín hiệu 5G tốt hơn.
Khi các mạng 5G tiếp tục được xây dựng trên toàn cầu, các MNO đang ngày càng tận dụng các giải pháp 32T32R để cải thiện vùng phủ sóng MIMO rộng lớn ở các khu vực đô thị và ngoại ô ít mật độ hơn.Việc sử dụng các giải pháp 32T32R yêu cầu sử dụng các thiết bị có công suất cao hơn giúp tăng mức công suất trên mỗi kênh để đạt được tổng công suất cần thiết nhằm đảm bảo vùng phủ sóng mạnh mẽ của tín hiệu 5G.
Trình điều khiển trước BTS7202 RX FEM và BTS6403/6305 mới cung cấp giải pháp toàn diện và dễ triển khai cho các trạm gốc 5G, bổ sung cho các giải pháp bộ khuếch đại công suất của NXP cho radio 32T32R.BTS7202 RX FEM có một công tắc có khả năng xử lý công suất rò rỉ lên tới 20W từ các đường dây truyền dẫn, giúp giảm độ phức tạp của hệ thống.Trình điều khiển trước của BTS6305 cũng tích hợp một balun để giảm chi phí.