- NXP và TSMC cùng phát triển IP MRAM nhúng trong công nghệ FinFET 16 nm của TSMC
- Với MRAM, các nhà sản xuất ô tô có thể triển khai các tính năng mới hiệu quả hơn, tăng tốc cập nhật qua mạng (OTA) và loại bỏ các nút thắt cổ chai trong sản xuất
- Thế hệ tiếp theo của bộ xử lý vùng S32 và MCU ô tô đa năng của NXP dự kiến sẽ là sản phẩm đầu tiên lấy mẫu vào đầu năm 2025
NXP hôm nay đã công bố sự hợp tác với TSMC để cung cấp MRAM (Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính) nhúng cho ô tô đầu tiên trong ngành trong công nghệ FinFET 16 nm.Khi các nhà sản xuất ô tô chuyển sang phương tiện được xác định bằng phần mềm (SDV), họ cần hỗ trợ nhiều thế hệ nâng cấp phần mềm trên một nền tảng phần cứng duy nhất.Việc kết hợp bộ xử lý ô tô S32 hiệu suất cao của NXP với bộ nhớ ổn định thế hệ tiếp theo nhanh và có độ tin cậy cao trong công nghệ FinFET 16 nm cung cấp nền tảng phần cứng lý tưởng cho quá trình chuyển đổi này.
MRAM có thể cập nhật 20 MB mã trong ~3 giây so với bộ nhớ flash mất khoảng 1 phút, giảm thiểu thời gian ngừng hoạt động liên quan đến cập nhật phần mềm và cho phép các nhà sản xuất ô tô loại bỏ tắc nghẽn phát sinh do thời gian lập trình mô-đun dài.Hơn nữa, MRAM cung cấp công nghệ có độ tin cậy cao cho hồ sơ nhiệm vụ ô tô bằng cách cung cấp tới một triệu chu kỳ cập nhật, mức độ bền gấp 10 lần so với flash và các công nghệ bộ nhớ mới nổi khác.
SDV cho phép các nhà sản xuất ô tô tung ra các tính năng thoải mái, an toàn và tiện lợi mới thông qua các bản cập nhật qua mạng không dây (OTA), kéo dài tuổi thọ của phương tiện và nâng cao chức năng, sức hấp dẫn và lợi nhuận của phương tiện.Khi các tính năng dựa trên phần mềm trở nên phổ biến hơn trên các phương tiện, tần suất cập nhật sẽ tăng lên, đồng thời tốc độ và độ mạnh mẽ của MRAM sẽ càng trở nên quan trọng hơn.
Công nghệ MRAM nhúng 16FinFET của TSMC vượt qua các yêu cầu khắt khe của ứng dụng ô tô với độ bền một triệu chu kỳ, hỗ trợ hàn nóng chảy lại và lưu giữ dữ liệu trong 20 năm ở 150°C.