Kháng mỏng bằng phim gốm từ lâu đã là lực chính trong các ứng dụng điện tử, nhưng chúng dựa trên các nền mỏng manh dễ bị nứt hoặc phân mảnh.Inc.. cung cấp một sự thay thế dựa trên thép cho các ứng dụng đòi hỏi sức mạnh cao, hiệu quả nhiệt và độ bền cơ học.
Các điện trở lớp dày gốm gốm đáng tin cậy trước khi nứt hoặc tách lớp, nhưng nguy cơ nứt hoặc tách lớp tăng đáng kể với việc giảm thiết bị và tăng mật độ điện.Sự lệch, rung động hoặc chu kỳ nhiệt của bảng mạch có thể làm suy yếu hiệu suất và độ tin cậy của chúng, dẫn đến các lỗi trường tiềm năng.
Các điện trở lớp dày gốm truyền thống rẻ tiền và có sẵn rộng rãi, nhưng nền của chúng rất mong manh và có độ tin cậy thấp trong môi trường khắc nghiệt.Thép không gỉ cung cấp một lớp nền cứng nhưng hơi phù hợp với chất liệu hấp thụ căng thẳng cơ học gây ra bởi uốn cong bảng mạch, rung động, và xử lý trong quá trình lắp ráp, giảm nguy cơ nứt hoặc tách lớp.
Phòng chống lớp dày bằng thép (TFOS) cung cấp một sự thay thế mạnh mẽ về mặt cơ học và hiệu quả về nhiệt cho các thiết kế căng thẳng cao đòi hỏi trong đó ngay cả một lượng nhỏ uốn cong bảng mạch,rung động hoặc chu trình nhiệt có thể gây ra sự phân hủy của các điện trở gốm.g.
Bourns đã giới thiệu kháng cự TFOS đầu tiên TFOS30-1-150T vào giữa năm 2025 (Hình 1).mật độ năng lượng cao và độ bền cơ học mạnh, làm cho chúng phù hợp với các ứng dụng đòi hỏi.và chịu được các xung năng lượng để tránh nứt, trôi dạt, hoặc thất bại sớm.
Hình 1: TFOS30-1-150T của Bourns sử dụng nền thép không gỉ đáng tin cậy hơn các kháng thép gốm lớp dày.
Các nền thép cung cấp sự phân tán nhiệt tuyệt vời để cải thiện khả năng phân tán điện và mật độ điện cao hơn trong các gói nhỏ hơn.Áp dụng một lớp dielectric toàn vẹn cao trên nền thép không gỉ được làm sạch để ngăn chặn dẫn điện năng thông qua thép.
Bằng cách chuyển xử lý năng lượng và độ bền vào kháng cự, các nhà thiết kế có thể giảm sử dụng bộ tản nhiệt, giảm số lượng bộ phận, và cải thiện độ tin cậy trường.các nhà thiết kế có thể đạt được hiệu suất cao hơn trong không gian nhỏ hơn mà không cần thêm phần cứng làm mát.
Trong quá trình sản xuất các thành phần TFOS, các mô hình dẫn điện và điện trở bằng màng dày được vẽ trên lớp điện môi bằng một quá trình in màn hình.Vật liệu được đốt cháy và cứng trong lò nhiệt độ cao để đảm bảo gắn kết và đường dẫn và kháng chắc chắnCuối cùng, các dây dẫn và điện trở được phủ một lớp kính bảo vệ để cung cấp bảo vệ cơ học, kháng môi trường và cách điện từ nền.
Các cân nhắc thiết kế cấp cao
Các điện trở TFOS cung cấp khả năng xử lý xung và điện năng cao trong một hình thức nhỏ gọn để duy trì lợi thế hiệu suất trong điều kiện đòi hỏi.Điều này cho phép các kỹ sư đáp ứng các yêu cầu độ tin cậy và quản lý nhiệt nghiêm ngặt mà không ảnh hưởng đến kích thước tổng thể.
TFOS30-1-150T phù hợp với tiêu chuẩn AEC-Q200 và phù hợp cho các ứng dụng ô tô như hệ thống lưu trữ pin, động cơ truyền động, biến tần, bảng điều khiển cảm biến xe pin nhiên liệu,và các ứng dụng khác mà năng lượng cao, quản lý nhiệt, và độ bền cơ học là rất quan trọng.
Bourns lưu ý trong một ghi chú ứng dụng [1] về việc sử dụng yếu tố này trong các bảng cảm biến pile pin nhiên liệu rằng TFOS phù hợp với ứng dụng này vì nó xử lý mật độ điện năng cao.Nó có thể thích nghi với mạch sạc và xả của xe pin nhiên liệu, và đảm bảo quản lý năng lượng hiệu quả ngay cả trong hoạt động tần số biến.dòng và nhiệt độ trong ngăn chứa pin nhiên liệu.
TFOS30-1-150T có sẵn trong 4.000 "L x 2.756" W (101.60 mm x 70.00 mm) tùy chỉnh các tùy chọn kết thúc, bao gồm pads, nối đẩy, dây treo và cáp kết thúc.Bourns lưu ý rằng căn hộ này, tấm nền thép rắn có thể được chế tạo theo nhiều hình dạng và kích thước khác nhau, lên đến 406 mm x 406 mm, để phù hợp với nhiều bố cục tùy chỉnh hoặc được gắn trực tiếp trên bề mặt chiếu sáng.Các nhà thiết kế cũng có thể chỉ định các giá trị ohmic bổ sung, dung nạp kháng cự, và tích hợp nhiều kháng cự.
Nó có điện trở 150 Ohm và độ khoan dung ± 10% và được tối ưu hóa cho độ chính xác.làm cho nó lý tưởng cho các ứng dụng đòi hỏi sự phân tán nhiệt đáng kểTFOS30-1-150T có phạm vi nhiệt độ hoạt động mở rộng từ - 55 ° C đến + 125 ° C và, theo Bourns, có thể chịu được nhiệt độ phần tử cực kỳ cao lên đến 350 ° C.